研究了15-20μm無(wú)孔氧化鈣晶體在550-1100℃和1-11.7atm二氧化碳壓力范圍內的碳化速率，在高于600℃的溫度下，碳化速率隨時(shí)間的減少比通過(guò)均勻產(chǎn)物層擴散所預期的要快，且活化能起初較低，但隨著(zhù)轉化率的增加而增加。

　　產(chǎn)物層由晶粒組成，這些產(chǎn)物層晶粒由直徑小于1μm的顆粒聚結生長(cháng)到顆粒的近似尺寸，碳化速率可以用CO2壓力無(wú)關(guān)的晶界擴散和通過(guò)碳酸鹽晶體的擴散平行作用的模型來(lái)描述。

　　通過(guò)產(chǎn)物層晶體的體擴散相對于晶界傳輸的相對重要性隨著(zhù)時(shí)間的增加而增加，有效活化能為57kcal/mol。

　　通過(guò)晶界的擴散具有較低的活化能和對CO2壓力的依賴(lài)性，當溫度大于900°C，時(shí)間大于600 min時(shí)，通過(guò)產(chǎn)物層的體擴散占關(guān)鍵地位，速率接近CO2壓力。